casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQPF5P10
codice articolo del costruttore | FQPF5P10 |
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Numero di parte futuro | FT-FQPF5P10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQPF5P10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 1.45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 23W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF5P10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQPF5P10-FT |
FDPF8N50NZ
ON Semiconductor
FDPF8N50NZT
ON Semiconductor
FDPF8N60ZUT
ON Semiconductor
FQPF10N20
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FQPF10N60CF
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FQPF10N60CT
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FQPF10N60CYDTU
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FQPF11N40CT
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FQPF11N40T
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ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
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AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
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LFXP2-8E-5FTN256C
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LCMXO1200E-3MN132I
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Intel
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