casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQP32N20C_F080
codice articolo del costruttore | FQP32N20C_F080 |
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Numero di parte futuro | FT-FQP32N20C_F080 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQP32N20C_F080 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 156W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP32N20C_F080 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQP32N20C_F080-FT |
IRL640A
ON Semiconductor
BUZ11_R4941
ON Semiconductor
FCP099N60E
ON Semiconductor
FCP104N60
ON Semiconductor
FCP104N60F
ON Semiconductor
FCP11N60
ON Semiconductor
FCP125N60E
ON Semiconductor
FCP170N60
ON Semiconductor
FCP190N60-GF102
ON Semiconductor
FCP20N60_F080
ON Semiconductor
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation