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ON Semiconductor FCP104N60F

Name: FCP104N60F
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCP104N60F
Price: 4.168 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (245 reviews)

Numero parte MFG: FCP104N60F

quantità disponibile: 39900 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 4.168

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: HiPerFET™, Polar™ MOSFET N-CH 600V TO-220

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FCP104N60F.pdf

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FCP104N60F specificazioni

codice articolo del costruttore	FCP104N60F
Numero di parte futuro	FT-FCP104N60F
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™, Polar™
FCP104N60F Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	37A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	104 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	145nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6130pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	357W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP104N60F Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FCP104N60F-FT

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