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codice articolo del costruttore | FQP19N20CTSTU |
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Numero di parte futuro | FT-FQP19N20CTSTU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQP19N20CTSTU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 9.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 139W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP19N20CTSTU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQP19N20CTSTU-FT |
FCP165N65S3R0
ON Semiconductor
FCP190N60E
ON Semiconductor
FCP190N65S3R0
ON Semiconductor
FCP260N65S3
ON Semiconductor
FCP360N65S3R0
ON Semiconductor
FCP600N65S3R0
ON Semiconductor
FDP023N08B-F102
ON Semiconductor
FDP045N10A-F102
ON Semiconductor
FCP290N80
ON Semiconductor
FQP2N40-F080
ON Semiconductor
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.