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ON Semiconductor FQP19N10L

Name: FQP19N10L
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQP19N10L
Availability: InStock
Rating: 5.0 (151 reviews)

Numero parte MFG: FQP19N10L

quantità disponibile: 25150 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: QFET® MOSFET N-CH 100V 19A TO-220

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FQP19N10L.pdf

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FQP19N10L specificazioni

codice articolo del costruttore	FQP19N10L
Numero di parte futuro	FT-FQP19N10L
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQP19N10L Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	870pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	75W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQP19N10L Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FQP19N10L-FT

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