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ON Semiconductor FQN1N60CTA

Numero parte MFG
FQN1N60CTA
quantità disponibile
34800 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.180936
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
QFET® MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FQN1N60CTA specificazioni

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Numero di parte futuro FT-FQN1N60CTA
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie QFET®
FQN1N60CTA Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5 Ohm @ 150mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 3W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3
Pacchetto / caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQN1N60CTA Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FQN1N60CTA-FT

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