casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQB12N50TM_AM002
codice articolo del costruttore | FQB12N50TM_AM002 |
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Numero di parte futuro | FT-FQB12N50TM_AM002 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQB12N50TM_AM002 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.1A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 490 mOhm @ 6.05A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2020pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 179W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQB12N50TM_AM002 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQB12N50TM_AM002-FT |
FDB110N15A
ON Semiconductor
FDB9409-F085
ON Semiconductor
FDB86566-F085
ON Semiconductor
FDB060AN08A0
ON Semiconductor
FDB9403-F085
ON Semiconductor
FDB9403L-F085
ON Semiconductor
FCB20N60-F085
ON Semiconductor
FDB7030BL
ON Semiconductor
FDB86366-F085
ON Semiconductor
FDB150N10
ON Semiconductor
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel