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ON Semiconductor FDB28N30TM

Numero parte MFG
FDB28N30TM
quantità disponibile
26440 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.039328
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
UniFET™ MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FDB28N30TM specificazioni

codice articolo del costruttore FDB28N30TM
Numero di parte futuro FT-FDB28N30TM
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie UniFET™
FDB28N30TM Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 129 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB28N30TM Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FDB28N30TM-FT

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