casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCB20N60-F085
codice articolo del costruttore | FCB20N60-F085 |
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Numero di parte futuro | FT-FCB20N60-F085 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, SuperFET™ |
FCB20N60-F085 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 198 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3080pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 341W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCB20N60-F085 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCB20N60-F085-FT |
FDB0170N607L
ON Semiconductor
FDB024N04AL7
ON Semiconductor
FDB0690N1507L
ON Semiconductor
FDB0630N1507L
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FDB0260N1007L
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A3PE600-1PQG208I
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