casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCB20N60-F085
codice articolo del costruttore | FCB20N60-F085 |
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Numero di parte futuro | FT-FCB20N60-F085 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, SuperFET™ |
FCB20N60-F085 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 198 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3080pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 341W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCB20N60-F085 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCB20N60-F085-FT |
FDB0170N607L
ON Semiconductor
FDB024N04AL7
ON Semiconductor
FDB0690N1507L
ON Semiconductor
FDB0630N1507L
ON Semiconductor
FDB0260N1007L
ON Semiconductor
FDB8832
ON Semiconductor
FDB3502
ON Semiconductor
FDB38N30U
ON Semiconductor
FQB9N50CTM
ON Semiconductor
FDB8445
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel