casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQA90N10V2
codice articolo del costruttore | FQA90N10V2 |
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Numero di parte futuro | FT-FQA90N10V2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQA90N10V2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 105A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 52.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 191nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 330W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQA90N10V2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQA90N10V2-FT |
FQA24N60
ON Semiconductor
FQA30N40
ON Semiconductor
FDA24N50F
ON Semiconductor
FQA19N60
ON Semiconductor
TK62J60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
FDA8440
ON Semiconductor
FCA47N60
ON Semiconductor
FCA47N60-F109
ON Semiconductor
FCA47N60F
ON Semiconductor
TK39J60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel