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Microsemi Corporation APTM50AM19STG

Numero parte MFG
APTM50AM19STG
quantità disponibile
38180 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
- MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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APTM50AM19STG specificazioni

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Numero di parte futuro FT-APTM50AM19STG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APTM50AM19STG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 170A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 492nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 22400pF @ 25V
Potenza - Max 1250W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP4
Pacchetto dispositivo fornitore SP4
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM50AM19STG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APTM50AM19STG-FT

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