casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / FMA4AT148
codice articolo del costruttore | FMA4AT148 |
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Numero di parte futuro | FT-FMA4AT148 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FMA4AT148 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMA4AT148 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FMA4AT148-FT |
RN1705JE(TE85L,F)
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RN2701JE(TE85L,F)
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RN2703JE(TE85L,F)
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RN2704JE(TE85L,F)
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RN2705JE(TE85L,F)
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RN2707JE(TE85L,F)
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RN2708JE(TE85L,F)
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RN2710JE(TE85L,F)
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RN1706JE(TE85L,F)
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RN2706JE(TE85L,F)
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EP20K100ETC144-1
Intel
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
M1AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C5F256C7
Intel
XC7VX485T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
AGL400V5-CSG196I
Microsemi Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K300ERC208-2X
Intel