casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FL6L52030L
codice articolo del costruttore | FL6L52030L |
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Numero di parte futuro | FT-FL6L52030L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FL6L52030L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 500mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 10V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) | 540mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | WSSMini6-F1 |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FL6L52030L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FL6L52030L-FT |
DMT3006LFV-7
Diodes Incorporated
DMT3006LFVQ-13
Diodes Incorporated
DMT3006LFVQ-7
Diodes Incorporated
DMT3009LFVW-13
Diodes Incorporated
DMT3009LFVWQ-13
Diodes Incorporated
DMT3020LFVW-7
Diodes Incorporated
DMT35M7LFV-13
Diodes Incorporated
DMT35M7LFV-7
Diodes Incorporated
DMT43M8LFV-13
Diodes Incorporated
DMT43M8LFV-7
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel