casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMT3009LFVWQ-13
codice articolo del costruttore | DMT3009LFVWQ-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMT3009LFVWQ-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMT3009LFVWQ-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 3.8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 14.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 823pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.3W (Ta), 35.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT3009LFVWQ-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMT3009LFVWQ-13-FT |
DMTH3004LFG-7
Diodes Incorporated
DMTH4008LFDFWQ-13
Diodes Incorporated
DMTH4008LFDFWQ-7
Diodes Incorporated
DMTH6016LFDFWQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LFDFWQ-7
Diodes Incorporated
DMTH6016LFDFWQ-7R
Diodes Incorporated
IXFB70N100X
IXYS
IXFH130N15X3
IXYS
IXFH150N25X3HV
IXYS
IXFH26N100X
IXYS
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel