casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PDTA123JT,215
codice articolo del costruttore | PDTA123JT,215 |
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Numero di parte futuro | FT-PDTA123JT,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDTA123JT,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTA123JT,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDTA123JT,215-FT |
PDTA115EU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA115TU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA123EU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA123TU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA123YU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA124EU,135
Nexperia USA Inc.
PDTA124TU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA124XU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA143TU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA143XU,115
Nexperia USA Inc.
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
APA450-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F672C7
Intel
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10CX105YU484I6G
Intel
5SGSMD3E2H29I2N
Intel
10AX027H4F34E3SG
Intel
5SGXEB9R1H43C2N
Intel
LCMXO2-2000UHC-5FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel