casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / FJNS4209RBU
codice articolo del costruttore | FJNS4209RBU |
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Numero di parte futuro | FT-FJNS4209RBU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJNS4209RBU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS4209RBU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJNS4209RBU-FT |
PDTB143ETR
Nexperia USA Inc.
PDTB143XTR
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PDTC123ET,215
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PDTC144WT,215
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PDTD123ET,215
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PDTA114TT,215
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PDTB123YT,215
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