casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PDTC123ET,215
codice articolo del costruttore | PDTC123ET,215 |
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Numero di parte futuro | FT-PDTC123ET,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDTC123ET,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTC123ET,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDTC123ET,215-FT |
PDTC143ZU,115
Nexperia USA Inc.
PDTC144EU,115
Nexperia USA Inc.
PDTC114EU,115
Nexperia USA Inc.
PDTC114TU,115
Nexperia USA Inc.
PDTC123JU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA143ZU,115
Nexperia USA Inc.
PDTA144EU,115
Nexperia USA Inc.
PDTC124EU,115
Nexperia USA Inc.
PDTC124XU,115
Nexperia USA Inc.
PDTC143XU,115
Nexperia USA Inc.
LCMXO640E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQ100I
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2N
Intel
5SGSMD5H1F35C2LN
Intel
XC4036XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
EP4SGX230DF29I3
Intel
10CX085YF672I5G
Intel