casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / FJNS3203RTA
codice articolo del costruttore | FJNS3203RTA |
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Numero di parte futuro | FT-FJNS3203RTA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJNS3203RTA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS3203RTA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJNS3203RTA-FT |
PDTD113ZTVL
Nexperia USA Inc.
PDTD114ETR
Nexperia USA Inc.
PDTD114ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTD143ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTD143XTVL
Nexperia USA Inc.
FJNS3201RBU
ON Semiconductor
FJNS3202RBU
ON Semiconductor
FJNS3204RBU
ON Semiconductor
FJNS3204RTA
ON Semiconductor
FJNS3205RBU
ON Semiconductor
LFE2-12E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-3CSG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
EPF10K250EFC672-1
Intel
5SGSMD3E2H29I3LN
Intel
5SGSMD4E2H29I3L
Intel
5SGXMA7H2F35C2LN
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
EPF10K30EQI208-2N
Intel