casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PDTD143ETVL
codice articolo del costruttore | PDTD143ETVL |
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Numero di parte futuro | FT-PDTD143ETVL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDTD143ETVL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 225MHz |
Potenza - Max | 320mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTD143ETVL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDTD143ETVL-FT |
PDTD123EUF
Nexperia USA Inc.
PDTD123EUX
Nexperia USA Inc.
PDTD123YUF
Nexperia USA Inc.
PDTD123YUX
Nexperia USA Inc.
PDTD143EUF
Nexperia USA Inc.
PDTD143EUX
Nexperia USA Inc.
PDTD143XUF
Nexperia USA Inc.
PDTD143XUX
Nexperia USA Inc.
PDTC123JT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC143XT,215
Nexperia USA Inc.
M1A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCVG484E
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R1F40C2L
Intel
XC7VX330T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200RC240-1X
Intel
5SGXMA3H2F35C3N
Intel