casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / FJN4306RBU
codice articolo del costruttore | FJN4306RBU |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FJN4306RBU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJN4306RBU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJN4306RBU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJN4306RBU-FT |
FJN3302RBU
ON Semiconductor
FJN3303RBU
ON Semiconductor
FJN3304RBU
ON Semiconductor
FJN3305RBU
ON Semiconductor
FJN3306RBU
ON Semiconductor
FJN3307RBU
ON Semiconductor
FJN3308RBU
ON Semiconductor
FJN3309RBU
ON Semiconductor
FJN3310RBU
ON Semiconductor
FJN3311RBU
ON Semiconductor
LCMXO2-1200HC-6TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A15T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FGG256I
Xilinx Inc.
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP3SL200F1517C3
Intel
XC6VHX380T-1FFG1924I
Xilinx Inc.
XC4VFX100-10FF1152I
Xilinx Inc.
A3P060-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation