casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FJH1100_T50R
codice articolo del costruttore | FJH1100_T50R |
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Numero di parte futuro | FT-FJH1100_T50R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJH1100_T50R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 15V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10pA @ 15V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJH1100_T50R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJH1100_T50R-FT |
1N4150_T50A
ON Semiconductor
1N4150_T50R
ON Semiconductor
1N4151_T50R
ON Semiconductor
1N4152
ON Semiconductor
1N4152TR
ON Semiconductor
1N4152_T50A
ON Semiconductor
1N4152_T50R
ON Semiconductor
1N4153
ON Semiconductor
1N4153TR
ON Semiconductor
1N4153_T50R
ON Semiconductor
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel