casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4150_T50A
codice articolo del costruttore | 1N4150_T50A |
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Numero di parte futuro | FT-1N4150_T50A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4150_T50A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4150_T50A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4150_T50A-FT |
IDL08G65C5XUMA2
Infineon Technologies
IDL10G65C5XUMA2
Infineon Technologies
IDL12G65C5XUMA2
Infineon Technologies
IDL02G65C5XUMA1
Infineon Technologies
IDL04G65C5XUMA1
Infineon Technologies
IDL06G65C5XUMA1
Infineon Technologies
IDL08G65C5XUMA1
Infineon Technologies
IDL10G65C5XUMA1
Infineon Technologies
IDL12G65C5XUMA1
Infineon Technologies
GB01SLT12-214
GeneSiC Semiconductor
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel