casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / FJBE2150DTU
codice articolo del costruttore | FJBE2150DTU |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FJBE2150DTU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ESBC™ |
FJBE2150DTU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 800V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 330mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 400mA, 3V |
Potenza - Max | 110W |
Frequenza - Transizione | 5MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJBE2150DTU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJBE2150DTU-FT |
KSC5603D
ON Semiconductor
KSD1943TU
ON Semiconductor
KSD288O
ON Semiconductor
KSD288OTU
ON Semiconductor
KSD288W
ON Semiconductor
KSD288WTU
ON Semiconductor
KSD288Y
ON Semiconductor
KSD288YTU
ON Semiconductor
KSD362N
ON Semiconductor
KSD362R
ON Semiconductor
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
APA600-BGG456I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC256-2
Intel
5SGSMD8K3F40C4N
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-L1FBG484I
Xilinx Inc.
LFE2-50E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE115F29I8L
Intel