casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSD288OTU
codice articolo del costruttore | KSD288OTU |
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Numero di parte futuro | FT-KSD288OTU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSD288OTU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 55V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 5V |
Potenza - Max | 25W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSD288OTU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSD288OTU-FT |
FJP3305H2TU
ON Semiconductor
FJP3305TU
ON Semiconductor
FJP3307DH2TU
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FJP3835TU
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FJP5021
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FJP5021OTU
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FJP5021OV
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FJP5021OVTU
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LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQG208
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6MG81I
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LFE5UM-25F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DCF256C8G
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10AX022E3F27E2LG
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EP4SE530F43C2
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LFE2M70SE-6FN900I
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10AX115R3F40I2SGES
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