casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / FJB5555TM
codice articolo del costruttore | FJB5555TM |
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Numero di parte futuro | FT-FJB5555TM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJB5555TM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1A, 3.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 800mA, 3V |
Potenza - Max | 1.6W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJB5555TM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJB5555TM-FT |
KSC5302DTU
ON Semiconductor
KSC5305DFTTU
ON Semiconductor
KSC5504DTTU
ON Semiconductor
KSC5603D
ON Semiconductor
KSD1943TU
ON Semiconductor
KSD288O
ON Semiconductor
KSD288OTU
ON Semiconductor
KSD288W
ON Semiconductor
KSD288WTU
ON Semiconductor
KSD288Y
ON Semiconductor
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEA4H1F35I2N
Intel
XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation