casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / FJB3307DTM
codice articolo del costruttore | FJB3307DTM |
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Numero di parte futuro | FT-FJB3307DTM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJB3307DTM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 2A, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 5A, 5V |
Potenza - Max | 1.72W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJB3307DTM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJB3307DTM-FT |
KSC5504DTTU
ON Semiconductor
KSC5603D
ON Semiconductor
KSD1943TU
ON Semiconductor
KSD288O
ON Semiconductor
KSD288OTU
ON Semiconductor
KSD288W
ON Semiconductor
KSD288WTU
ON Semiconductor
KSD288Y
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KSD288YTU
ON Semiconductor
KSD362N
ON Semiconductor
A1010B-1VQ80I
Microsemi Corporation
EX128-PTQG100I
Microsemi Corporation
XC2V500-4FGG456C
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A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
EP4CE75F23I8LN
Intel
EPF10K30AFC256-3
Intel
10CL006YE144C8G
Intel
XC6VLX240T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation