casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / FJB102TM
codice articolo del costruttore | FJB102TM |
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Numero di parte futuro | FT-FJB102TM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FJB102TM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 80mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 3A, 4V |
Potenza - Max | 80W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJB102TM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FJB102TM-FT |
KSC5020O
ON Semiconductor
KSC5302DTU
ON Semiconductor
KSC5305DFTTU
ON Semiconductor
KSC5504DTTU
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KSC5603D
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A3P060-VQG100T
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AT6005-4AC
Microchip Technology
EP4CGX30CF23C6
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EP4CE6F17A7N
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LFE2-35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation