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ON Semiconductor FGA50N100BNTD2

Numero parte MFG
FGA50N100BNTD2
quantità disponibile
35360 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 6.8
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - IGBT - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-FGA50N100BNTD2
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
FGA50N100BNTD2 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT and Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 50A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A
Potenza - Max 156W
Cambiare energia -
Tipo di input Standard
Carica del cancello 257nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 34ns/243ns
Condizione di test 600V, 60A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 75ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FGA50N100BNTD2 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FGA50N100BNTD2-FT

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