casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / FGA50N100BNTD2
codice articolo del costruttore | FGA50N100BNTD2 |
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Numero di parte futuro | FT-FGA50N100BNTD2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FGA50N100BNTD2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT and Trench |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A |
Potenza - Max | 156W |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 257nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 34ns/243ns |
Condizione di test | 600V, 60A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FGA50N100BNTD2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FGA50N100BNTD2-FT |
STGP3NB60KD
STMicroelectronics
STGP6NC60H
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STGP7NB60HD
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STGP7NB60KD
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STGP7NC60H
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STGP8NC60K
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STGD10HF60KD
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STGD4M65DF2
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STGD5NB120SZT4
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STGD7NC60HT4
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LCMXO256E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL050S-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35C4
Intel
5SGXMA7H2F35C2
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP6C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SCM153I7G
Intel
EP20K100EBC356-1
Intel
EP1C4F324C7N
Intel