casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGD4M65DF2
codice articolo del costruttore | STGD4M65DF2 |
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Numero di parte futuro | FT-STGD4M65DF2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | M |
STGD4M65DF2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 16A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
Potenza - Max | 68W |
Cambiare energia | 40µJ (on), 136µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 15.2nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 12ns/86ns |
Condizione di test | 400V, 4A, 47 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 133ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGD4M65DF2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGD4M65DF2-FT |
STGB10NC60KDT4
STMicroelectronics
STGB10NB40LZT4
STMicroelectronics
STGB6NC60HDT4
STMicroelectronics
STGB7NC60HDT4
STMicroelectronics
STGB10NC60KT4
STMicroelectronics
STGB10NC60HDT4
STMicroelectronics
STGB14NC60KDT4
STMicroelectronics
STGB19NC60HDT4
STMicroelectronics
STGB19NC60KT4
STMicroelectronics
STGB19NC60WT4
STMicroelectronics
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3SD1800A-4FGG676I
Xilinx Inc.
EP2C5F256I8N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
XC7S15-1CSGA225C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176M
Microsemi Corporation
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
A54SX08-1FGG144I
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I8LN
Intel