casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FFSH40120A
codice articolo del costruttore | FFSH40120A |
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Numero di parte futuro | FT-FFSH40120A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FFSH40120A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 61A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 2250pF @ 1V, 100kHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FFSH40120A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FFSH40120A-FT |
1N1186R
GeneSiC Semiconductor
1N3210R
GeneSiC Semiconductor
FR40M05
GeneSiC Semiconductor
S40BR
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S85M
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MBR3560R
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1N3891
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1N6095R
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FR12G05
GeneSiC Semiconductor
MBR3540
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XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
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EP3SE80F1152C3
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XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel