casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FFSH20120A
codice articolo del costruttore | FFSH20120A |
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Numero di parte futuro | FT-FFSH20120A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FFSH20120A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 20A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 1220pF @ 1V, 100KHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FFSH20120A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FFSH20120A-FT |
1N4595R
GeneSiC Semiconductor
150KR40A
GeneSiC Semiconductor
S150QR
GeneSiC Semiconductor
FR40MR05
GeneSiC Semiconductor
FR20GR02
GeneSiC Semiconductor
FR40KR05
GeneSiC Semiconductor
S40B
GeneSiC Semiconductor
S40KR
GeneSiC Semiconductor
MBR8045R
GeneSiC Semiconductor
1N3210
GeneSiC Semiconductor
EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E2LG
Intel
EP3SL150F780I4
Intel
EP1C4F324I7N
Intel