casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FFH50US60S-F085
codice articolo del costruttore | FFH50US60S-F085 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FFH50US60S-F085 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Stealth™ |
FFH50US60S-F085 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 50A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.69V @ 50A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 163ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FFH50US60S-F085 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FFH50US60S-F085-FT |
1N3891
GeneSiC Semiconductor
1N6095R
GeneSiC Semiconductor
FR12G05
GeneSiC Semiconductor
MBR3540
GeneSiC Semiconductor
S12D
GeneSiC Semiconductor
S16J
GeneSiC Semiconductor
GKN26/08
GeneSiC Semiconductor
GKR26/14
GeneSiC Semiconductor
1N8024-GA
GeneSiC Semiconductor
1N8030-GA
GeneSiC Semiconductor
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel