casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FFH50US60S-F085
codice articolo del costruttore | FFH50US60S-F085 |
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Numero di parte futuro | FT-FFH50US60S-F085 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Stealth™ |
FFH50US60S-F085 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 50A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.69V @ 50A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 163ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FFH50US60S-F085 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FFH50US60S-F085-FT |
1N3891
GeneSiC Semiconductor
1N6095R
GeneSiC Semiconductor
FR12G05
GeneSiC Semiconductor
MBR3540
GeneSiC Semiconductor
S12D
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S16J
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GKR26/14
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1N8024-GA
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1N8030-GA
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A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
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LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
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10AX115H3F34I2LG
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EP3CLS200F780C8
Intel