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Microsemi Corporation APTM120VDA57T3G

Numero parte MFG
APTM120VDA57T3G
quantità disponibile
16260 pezzi
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
POWER MOS 7® MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-APTM120VDA57T3G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS 7®
APTM120VDA57T3G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 684 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 187nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5155pF @ 25V
Potenza - Max 390W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP3
Pacchetto dispositivo fornitore SP3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120VDA57T3G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APTM120VDA57T3G-FT

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