casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FD1000R17IE4BOSA2
codice articolo del costruttore | FD1000R17IE4BOSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-FD1000R17IE4BOSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FD1000R17IE4BOSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | 6250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 1000A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 81nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD1000R17IE4BOSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FD1000R17IE4BOSA2-FT |
CM75DY-28H
Powerex Inc.
CM75DY-34A
Powerex Inc.
CM75E3U-24H
Powerex Inc.
CM75MX-12A
Powerex Inc.
CM75MXA-24S
Powerex Inc.
CM75RL-12NF
Powerex Inc.
CM75RL-24NF
Powerex Inc.
CM75RX-24A
Powerex Inc.
CM75TF-12H
Powerex Inc.
CM75TF-24H
Powerex Inc.
A54SX16A-FG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-2QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200FC484-2N
Intel
5SGXEA7N3F40C2LN
Intel
A42MX16-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780I7N
Intel
EP1K50QC208-1N
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel