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codice articolo del costruttore | FF300R12KT3PEHOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF300R12KT3PEHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | C |
FF300R12KT3PEHOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Half Bridge Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 300A |
Potenza - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 300A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 21nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF300R12KT3PEHOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF300R12KT3PEHOSA1-FT |
F4100R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
F4150R06KL4BOSA1
Infineon Technologies
F4150R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
F4200R06KL4BOSA1
Infineon Technologies
F43L50R07W2H3FB11BPSA2
Infineon Technologies
F450R12KS4B11BOSA1
Infineon Technologies
F450R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
F475R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
F475R07W2H3B51BPSA1
Infineon Technologies
F475R12KS4B11BOSA1
Infineon Technologies
XCV300E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C25U256C6
Intel
5AGXBA7D4F27C5N
Intel
5SGXEA7K2F35I2L
Intel
AX1000-2FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF19C6N
Intel