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codice articolo del costruttore | FF300R12KT3PEHOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF300R12KT3PEHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | C |
FF300R12KT3PEHOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Half Bridge Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 300A |
Potenza - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 300A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 21nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF300R12KT3PEHOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF300R12KT3PEHOSA1-FT |
F4100R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
F4150R06KL4BOSA1
Infineon Technologies
F4150R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
F4200R06KL4BOSA1
Infineon Technologies
F43L50R07W2H3FB11BPSA2
Infineon Technologies
F450R12KS4B11BOSA1
Infineon Technologies
F450R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
F475R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
F475R07W2H3B51BPSA1
Infineon Technologies
F475R12KS4B11BOSA1
Infineon Technologies
LCMXO640E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FGG400C
Xilinx Inc.
XA6SLX9-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQG208C
Xilinx Inc.
P1AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
10M50DAF484C8G
Intel
5CEBA2F17C8N
Intel
10AX022E4F27I3SG
Intel
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation