casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / F4200R06KL4BOSA1
codice articolo del costruttore | F4200R06KL4BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-F4200R06KL4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F4200R06KL4BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 225A |
Potenza - Max | 695W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.55V @ 15V, 200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 9nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F4200R06KL4BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | F4200R06KL4BOSA1-FT |
CM600DU-12NFH
Powerex Inc.
CM600DU-24F
Powerex Inc.
CM600DXL-24S
Powerex Inc.
CM600E3U-12NFH
Powerex Inc.
CM600HA-12H
Powerex Inc.
CM600HA-24H
Powerex Inc.
CM600HA-28H
Powerex Inc.
CM600HB-24A
Powerex Inc.
CM600HU-12H
Powerex Inc.
CM600HU-24H
Powerex Inc.
A54SX16A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-5FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C9ES
Intel
5SEEBF45I2L
Intel
5SGXEA7K3F35C2L
Intel
EP1S40F1020C7
Intel