casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FF300R12KE4HOSA1
codice articolo del costruttore | FF300R12KE4HOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF300R12KE4HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF300R12KE4HOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | 2 Independent |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 460A |
Potenza - Max | 1600W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 300A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 19nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF300R12KE4HOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF300R12KE4HOSA1-FT |
F3L50R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L75R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L75R12W1H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L75R12W1H3B27BOMA1
Infineon Technologies
F4100R06KL4BOSA1
Infineon Technologies
F4100R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
F4150R06KL4BOSA1
Infineon Technologies
F4150R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
F4200R06KL4BOSA1
Infineon Technologies
F43L50R07W2H3FB11BPSA2
Infineon Technologies
LFXP3C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484M
Microsemi Corporation
APA600-PQG208
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1VF400I
Microsemi Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE10F17C8N
Intel
A42MX24-TQ176M
Microsemi Corporation
LFEC20E-3F672C
Lattice Semiconductor Corporation