casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FF300R12KE4HOSA1
codice articolo del costruttore | FF300R12KE4HOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF300R12KE4HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF300R12KE4HOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | 2 Independent |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 460A |
Potenza - Max | 1600W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 300A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 19nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF300R12KE4HOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF300R12KE4HOSA1-FT |
F3L50R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L75R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L75R12W1H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L75R12W1H3B27BOMA1
Infineon Technologies
F4100R06KL4BOSA1
Infineon Technologies
F4100R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
F4150R06KL4BOSA1
Infineon Technologies
F4150R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
F4200R06KL4BOSA1
Infineon Technologies
F43L50R07W2H3FB11BPSA2
Infineon Technologies
XC6SLX100-N3CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FG256I
Microsemi Corporation
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2DQI
Microchip Technology
5SGXMABN3F45C3N
Intel
LFE2M35SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-640E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4N
Intel