casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FF300R12KE4HOSA1
codice articolo del costruttore | FF300R12KE4HOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF300R12KE4HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF300R12KE4HOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | 2 Independent |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 460A |
Potenza - Max | 1600W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 300A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 19nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF300R12KE4HOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF300R12KE4HOSA1-FT |
F3L50R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L75R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L75R12W1H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L75R12W1H3B27BOMA1
Infineon Technologies
F4100R06KL4BOSA1
Infineon Technologies
F4100R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
F4150R06KL4BOSA1
Infineon Technologies
F4150R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
F4200R06KL4BOSA1
Infineon Technologies
F43L50R07W2H3FB11BPSA2
Infineon Technologies
A3PN030-Z2QNG68
Microsemi Corporation
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016ATC100-1
Intel
10CL006YU256I7G
Intel
EP3SE110F1152I4N
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation