casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT150DH170G
codice articolo del costruttore | APTGT150DH170G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT150DH170G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT150DH170G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Asymmetrical Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 250A |
Potenza - Max | 890W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 150A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 350µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 13.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT150DH170G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT150DH170G-FT |
FF400R07A01E3S6XKSA2
Infineon Technologies
FS200R07A5E3S6BPSA1
Infineon Technologies
FS215R04A1E3DBOMA1
Infineon Technologies
FS400R07A1E3S7BOMA1
Infineon Technologies
FS400R07A3E3BOMA1
Infineon Technologies
FS400R07A3E3H6BPSA1
Infineon Technologies
FS400R12A2T4BOSA1
Infineon Technologies
FS50R07W1E3B11ABOMA1
Infineon Technologies
FS75R07W2E3B11ABOMA1
Infineon Technologies
FS820R08A6P2BBPSA1
Infineon Technologies
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel