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codice articolo del costruttore | FF200R12KE4PHOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF200R12KE4PHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
FF200R12KE4PHOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Potenza - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF200R12KE4PHOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF200R12KE4PHOSA1-FT |
F1235R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
F3L100R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L100R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L15R12W2H3B27BOMA1
Infineon Technologies
F3L200R12N2H3B47BPSA1
Infineon Technologies
F3L200R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L200R12W2H3PB11BPSA1
Infineon Technologies
F3L225R07W2H3PB63BPSA1
Infineon Technologies
LCMXO640E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FGG400C
Xilinx Inc.
XA6SLX9-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQG208C
Xilinx Inc.
P1AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
10M50DAF484C8G
Intel
5CEBA2F17C8N
Intel
10AX022E4F27I3SG
Intel
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation