casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / F1235R12KT4GBOSA1
codice articolo del costruttore | F1235R12KT4GBOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-F1235R12KT4GBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F1235R12KT4GBOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 35A |
Potenza - Max | 210W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1235R12KT4GBOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | F1235R12KT4GBOSA1-FT |
CM300HA-28H
Powerex Inc.
CM30TF-12H
Powerex Inc.
CM30TF-24H
Powerex Inc.
CM35MXA-24S
Powerex Inc.
CM400DU-12F
Powerex Inc.
CM400DU-24F
Powerex Inc.
CM400DU-24H
Powerex Inc.
CM400DY-24NF
Powerex Inc.
CM400DY-34A
Powerex Inc.
CM400HA-12H
Powerex Inc.
AGL030V5-QNG68I
Microsemi Corporation
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
EP1K100FC256-3N
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
LFE2M35E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I2N
Intel