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codice articolo del costruttore | FF200R12KE3HOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF200R12KE3HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF200R12KE3HOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | 2 Independent |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | 1050W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF200R12KE3HOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF200R12KE3HOSA1-FT |
F1225R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
F1235R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
F3L100R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L100R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L15R12W2H3B27BOMA1
Infineon Technologies
F3L200R12N2H3B47BPSA1
Infineon Technologies
F3L200R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
F3L200R12W2H3PB11BPSA1
Infineon Technologies
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2N
Intel
10AX022E3F29I2SG
Intel
A54SX32A-2TQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29I1HG
Intel
EP1SGX25FF1020C5
Intel