casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / FF1N30HS60DD
codice articolo del costruttore | FF1N30HS60DD |
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Numero di parte futuro | FT-FF1N30HS60DD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Stealth™ |
FF1N30HS60DD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.4V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 45ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF1N30HS60DD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF1N30HS60DD-FT |
DSA120X150LB
IXYS
DSA120X150LB-TRR
IXYS
DSA120X200LB
IXYS
DSA120X200LB-TRR
IXYS
DSA30C200IB
IXYS
DSA320A100NB
IXYS
DSA600A150NB
IXYS
DSEE15-06CC
IXYS
DSEE29-06CC
IXYS
DSEE8-06CC
IXYS
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel