casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DSA30C200IB
codice articolo del costruttore | DSA30C200IB |
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Numero di parte futuro | FT-DSA30C200IB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSA30C200IB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 940mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 (I2PAK) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSA30C200IB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSA30C200IB-FT |
CPT20145D
Microsemi Corporation
CPT300100
Microsemi Corporation
CPT300100A
Microsemi Corporation
CPT300100D
Microsemi Corporation
CPT30040A
Microsemi Corporation
CPT30040D
Microsemi Corporation
CPT30045A
Microsemi Corporation
CPT30045D
Microsemi Corporation
CPT30050A
Microsemi Corporation
CPT30050D
Microsemi Corporation
XC3S50A-4FTG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60CF484I4
Intel
EP4CE10F17C6N
Intel
5SGXMB6R3F40I3LN
Intel
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation