casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FF150R12KE3B8BOSA1
codice articolo del costruttore | FF150R12KE3B8BOSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FF150R12KE3B8BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
FF150R12KE3B8BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
Ingresso | - |
Termistore NTC | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF150R12KE3B8BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF150R12KE3B8BOSA1-FT |
DF120R12W2H3B27BOMA1
Infineon Technologies
DF150R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
DF160R12W2H3FB11BPSA1
Infineon Technologies
DF200R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
DF200R12PT4B6BOSA1
Infineon Technologies
DF200R12W1H3B27BOMA1
Infineon Technologies
DF200R12W1H3FB11BOMA1
Infineon Technologies
DF200R12W1H3FB11BPSA1
Infineon Technologies
DF300R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
DF400R07PE4R_B6
Infineon Technologies
LCMXO1200E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152C4
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S1F45I1SG
Intel
EP20K1000CB652C9N
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EPF10K30AQC240-2N
Intel