casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FF1000R17IE4BOSA1
codice articolo del costruttore | FF1000R17IE4BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF1000R17IE4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF1000R17IE4BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | 2 Independent |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | 6250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 1000A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 81nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF1000R17IE4BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF1000R17IE4BOSA1-FT |
DD800S45KL3B5NPSA1
Infineon Technologies
DDB2U30N08VRBOMA1
Infineon Technologies
DDB2U50N08W1RB23BOMA2
Infineon Technologies
DDB6U100N16RRBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U180N16RR
Infineon Technologies
DDB6U30N08VRBOMA1
Infineon Technologies
DDB6U75N16W1RB11BOMA1
Infineon Technologies
DDB6U75N16W1RBOMA1
Infineon Technologies
DF1000R17IE4BOSA1
Infineon Technologies
DF1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies