casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FF1000R17IE4BOSA1
codice articolo del costruttore | FF1000R17IE4BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF1000R17IE4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF1000R17IE4BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | 2 Independent |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | 6250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 1000A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 81nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF1000R17IE4BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF1000R17IE4BOSA1-FT |
DD800S45KL3B5NPSA1
Infineon Technologies
DDB2U30N08VRBOMA1
Infineon Technologies
DDB2U50N08W1RB23BOMA2
Infineon Technologies
DDB6U100N16RRBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U180N16RR
Infineon Technologies
DDB6U30N08VRBOMA1
Infineon Technologies
DDB6U75N16W1RB11BOMA1
Infineon Technologies
DDB6U75N16W1RBOMA1
Infineon Technologies
DF1000R17IE4BOSA1
Infineon Technologies
DF1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150-N3FG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3FG484C
Xilinx Inc.
ICE65L08F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD5H2F35I2L
Intel
A40MX04-PQ100A
Microsemi Corporation
5CEFA5F23I7N
Intel
10AX115U1F45I2SGES
Intel
EP4CE30F29C9L
Intel
EPF10K20RC240-4
Intel