casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / DF1000R17IE4BOSA1
codice articolo del costruttore | DF1000R17IE4BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-DF1000R17IE4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF1000R17IE4BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | 6250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 1000A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 81nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF1000R17IE4BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DF1000R17IE4BOSA1-FT |
CM200E3U-12H
Powerex Inc.
CM200HA-24H
Powerex Inc.
CM200RL-12NF
Powerex Inc.
CM200RX-12A
Powerex Inc.
CM200TU-12F
Powerex Inc.
CM200TU-12H
Powerex Inc.
CM20TF-12H
Powerex Inc.
CM20TF-24H
Powerex Inc.
CM225DX-24T
Powerex Inc.
CM300DU-12F
Powerex Inc.
EX64-TQ64A
Microsemi Corporation
EPF8820ATC144-2N
Intel
LFE2-12SE-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40I3LN
Intel
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
XC7VX690T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7V585T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
M2GL060-1FGG676
Microsemi Corporation
5AGXFA5H4F35C5N
Intel