casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 8TQ100S
codice articolo del costruttore | 8TQ100S |
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Numero di parte futuro | FT-8TQ100S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
8TQ100S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 550µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
8TQ100S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 8TQ100S-FT |
VS-MBRB735TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB745-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB745TRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB745TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS20L15G-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS20L15GL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS20L15GR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETH03SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel