casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FESB8ATHE3/81
codice articolo del costruttore | FESB8ATHE3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-FESB8ATHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FESB8ATHE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB8ATHE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FESB8ATHE3/81-FT |
20ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20L15TS
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
6TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division