casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FES8JT-5410HE3/45
codice articolo del costruttore | FES8JT-5410HE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-FES8JT-5410HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
FES8JT-5410HE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FES8JT-5410HE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FES8JT-5410HE3/45-FT |
VS-12TQ035-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ040-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15TQ060-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-18TQ035-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-18TQ040-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-18TQ045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-19TQ015-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20L15T-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TQ035-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel