casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-18TQ040-M3
codice articolo del costruttore | VS-18TQ040-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-18TQ040-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-18TQ040-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 18A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 36A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5mA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 1400pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-18TQ040-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-18TQ040-M3-FT |
V3PAL45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V4PAL45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V4PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PA10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PA12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAL50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V4PAL45HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel